据报道，CXMT开始冒险生产HBM3E内存，作为中国DRAM生产的突破——公司可能在2027年投入大规模生产。

本期编译精选。

个人计算机组件

内存

记录

以

安东·希洛夫

2026年9月1日 （中文（简体） ).

可以在2027年开始大规模生产。

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中国DRAM冠军长辛记忆科技(CXMT)已启动HBM3E内存，The Information reports. 虽然CXMT仍然是三家大型内存制造商的后代，它们都是量产HBM4的，但毋庸置疑，达到HBM3E里程碑凸显出公司的快速技术进步。

用 TH Premium 更深：内存

（图像信用：SK Hynix).

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CXMT的HBM3E产品规格不详，尽管考虑到我们正在处理风险生产，CXMT中实际HBM3E产品的规格可能与风险生产样品不同。同时，一般的JEDEC规格也广为人知：HBM3E模块的特点是一个1,024位宽的内存接口，支持数据传输速率可达9.6GT/s每平分，并可堆放8或12个内存设备。根据准确的速度箱的不同，HBM3E最多可以提供1.228 TB/s的内存带宽。

实际内存堆栈的容量取决于该堆栈中使用的DRAM死亡数量：HBM3E产品在使用24Gb DRAM设备建造时，使用八相堆栈或使用十二相堆栈的36GB可以提供24GB容量。

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（原文共 28 张图片，此处展示前 3 张，更多图片请前往原文查看）

（编译自 Toms Hardware；原文