Hot Chips 2026: 三星揭示出将逻辑和计算放入内存的三相HBM路线图——zHBM最终将DRAM直接堆放到处理器上方。

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伊蒂多·乌克

2026年9月1日 （中文（简体） ).

XPU 和内存变成一个

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（图文：三星。

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三星发布了一个分三相的行进图，将高带宽内存(HBM)逐渐转变为一个集成的内存和计算系统，最终形成公司的zHBM架构。. . . 在热芯片2026上详述了行进图，公司DRAM设计团队三星的相和（相和相和汉字）将基地死作为进化的关键助推器，从公司决定制造HBM基地起就以先进的逻辑过程而死。

在常规HBM中，碱基去死(B-die)被同核去死(C-dies)于上层堆栈中相同的 DRAM 过程节点上所制造。从HBM4开始，三星将基座移入了4nm的逻辑过程，主要是为了减少功率抽取并尽量减少去死面积。此外，它还让三星拥有了更能胜任的硅。

该公司认为，在XPU的同一类逻辑过程上构建的死法所能做的远不止于充当数据接口。三星现在计划逐渐将更多的功能卸入基座去死，最终完全去除内存和XPU之间的物理差距。

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在这里观看完整视频 :

B. 氢氟烷烃的现状及其日益增加的制约因素

（原文共 50 张图片，此处展示前 3 张，更多图片请前往原文查看）

（编译自 Toms Hardware；原文