中国CXMT打入12nm级DRAM里程碑

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个人计算机组件

RAM （韩语）

DRAM （韩语）

中国CXMT打入12nm级DRAM里程碑——新五等能DRAM科技用四分卫-打出一分卫能提升50%.

以

安东·希洛夫

2026年9月22日 （中文（简体） ).

但有一个陷阱

当你通过我们网站的链接购买。我们可能会得到一个附属委员会。情况如下：

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中国DRAM冠军CXMT开始使用其第五代DRAM工艺技术进行大规模生产。CXMT称其新工艺为技术-G5,如该公司所称。使用四分卫的光刻将DRAM的活地半径缩小为11.95nm. 11.95nm半pitch对应于23.9nm的活地投出。它使这个特定维度大致处于其他10nm级DRAM技术的范畴。然而，它不能被直接翻译成常规的DRAM节点命名。另外，CXMT表示其DRAM-优化高K金属门(HKMG)工艺将核心细胞阵列的高度降低到6,762nm.

该公司还称。它修改了工艺流程并引入了未指明的新材料来使存储电容器的深度与宽相比约为45:1. 这个数字当然难以与相竞争的DRAM工艺技术直接比较。但SK hynix表示，由于DRAM临界维度最终会降到10nm以下。因此，电容相比需要超过100:1.

Latest Videos From Tom 的硬件 （英语：Latest Videos From Tom)

在这里观看完整视频 :

45:1的侧面比表示CXMT的存储电容器比宽45倍。因此，这让公司能够将DRAM 细胞区域缩小，将更多的内存阵列放入晶圆和零售的可预见容量上。因此，然而，越来越高的方相比使蚀刻、沉降、机械稳定性以及最终的高产制造业面临更大的挑战

（原文共 29 张图片。因此，此处展示前 3 张，更多图片请前往原文查看）

（编译自 Toms Hardware；原文