中国工艺制造出3nm门-全方位晶体管，没有EUV——堆叠的纳米表目标3nm没有EUV,但全节点仍然很遥远。

本期编译精选。

【导语】技术工业 以 安东·希洛夫 2026年9月21日 （中文（简体） ). 但中国的3nm仍然相去多年。当你通过我们网站的链接购买，我们可能会得到一个附属委员会。情况如下：

技术工业

以

安东·希洛夫

2026年9月21日 （中文（简体） ).

但中国的3nm仍然相去多年。

当你通过我们网站的链接购买，我们可能会得到一个附属委员会。情况如下：

（图像信用：英特尔）

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中国科学院微电子研究所(IMECAS)已开发出用浸入式DUV 光刻并演示功能装置来建造堆叠式-nanosheet门-全相通式(GAA)晶体管的实验流程流。由无法访问EUV扫描仪的中国芯片制造者使用，

虽然IMECAS已经演示了功能性的GAA设备，但并没有披露能与其他芯片制造者3nm级晶体管进行比较的关键几何参数。但是，此外，建造晶体管的实验流程甚至不是建造研究芯片的固定流程，更不用说完整的3nm级制造流程了

然而，这一成就非常重要。因为它表明中国能够开发自己的半导体演化分支。因此，而不用西方公司的主要edge工具

Latest Videos From Tom 的硬件 （英语：Latest Videos From Tom)

在这里观看完整视频 :

完成早期流程整合

（原文共 27 张图片。因此，此处展示前 3 张，更多图片请前往原文查看）

（编译自 Toms Hardware；原文