本期编译精选。
【导语】尽管综合光子的硅(Si)和硝化硅(SiN)日益成熟，但单一材料平台无法满足对光子集成电路1,2提出的多样化要求。但是，基本的光学功能可以通过将各种功能材料与已建立的光子平台相混合而实现。
摘要
尽管综合光子的硅(Si)和硝化硅(SiN)日益成熟，但单一材料平台无法满足对光子集成电路1,2提出的多样化要求。但是，基本的光学功能可以通过将各种功能材料与已建立的光子平台相混合而实现。然而，严格的纹饰相配限制严重阻碍了异质光学底物上生长的异质物質。在这里，我们通过利用由高级地税和地层起落技术6、7、8、9所促成的独立的单晶纳米膜来避免这种限制。我们提出了一个多功能框架，利用光子范德瓦尔(vdW)集成10,将所期望的功能注入到Si和SiN光子中。通过将单晶状薄膜钛酸铝(BTO)转移至Si芯片，我们实验演示出超高效电光调制，由1。290 pm V−1 以上的大Pockels系数r 42和3-dB电子光学带宽超过23 GHz。由定义明确的BTO晶体取向和质量所实现。我们还报告超共通性非对等磁光学同位素，通过将钴发酵素(CFO)纳米膜(Si microrings)相接而成，法拉第自转系数为33,800 cm−1。为了展示将各种功能材料结合到任意光子模板中的能力，我们横向将砷化 gall(GaAs)11。12和氮化ium(GaN)单晶相接13,14相接于SiN光子上，实现从紫外线到近红外波长的扩展光检测。15相接。用于同步电光学和磁光学调制的多功能环式共振器也通过建造垂直的CFO/BTO异构16,17等，为先进的异能集成光电子应用及更远的应用带来了新的机遇。
（原文共 10 张图片，此处展示前 3 张，更多图片请前往原文查看）
（编译自 Nature；原文
本文系本站对该英文资讯的编译与转述，非全文翻译；版权归原作者所有。
每天 5 分钟，看懂世界在发生什么
订阅「牛金金天天译站」，每日精选海外科技/AI/文化资讯编译送到你邮箱。非经营性、无广告、可随时退订。
评论